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對半導(dǎo)體的認(rèn)識范例6篇

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對半導(dǎo)體的認(rèn)識范文1

關(guān)鍵詞:微電子;半導(dǎo)體物理;教學(xué)質(zhì)量;教學(xué)方法

作者簡介:湯乃云(1976-),女,江蘇鹽城人,上海電力學(xué)院計算機與信息工程學(xué)院,副教授。(上海200090)

基金項目:本文系上海自然科學(xué)基金(編號:B10ZR1412400)、上海市科技創(chuàng)新行動計劃地方院校能力建設(shè)項目(編號:10110502200)的研究成果。

中圖分類號:G642.0     文獻標(biāo)識碼:A     文章編號:1007-0079(2012)13-0059-02

隨著半導(dǎo)體和集成電路的迅猛發(fā)展,微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到電子信息學(xué)科的各個領(lǐng)域,電子、通信、控制等諸多學(xué)科都融合了微電子科學(xué)的基礎(chǔ)知識。[1]作為微電子技術(shù)的理論基礎(chǔ),半導(dǎo)體物理研究、半導(dǎo)體材料和器件的基本性能和內(nèi)在機理是研究集成電路工藝、設(shè)計及應(yīng)用的重要理論基礎(chǔ);作為微電子學(xué)相關(guān)專業(yè)的特色課程及后續(xù)課程的理論基礎(chǔ),“半導(dǎo)體物理”的教學(xué)直接影響了后續(xù)專業(yè)理論及實踐的教學(xué)。目前,對以工程能力培養(yǎng)為目標(biāo)的微電子類相關(guān)專業(yè),如電子科學(xué)與技術(shù)、微電子、集成電路設(shè)計等,均強調(diào)培養(yǎng)學(xué)生的電路設(shè)計能力,注重學(xué)生的工程實踐能力的培養(yǎng),在課程設(shè)置及教學(xué)上輕視基礎(chǔ)理論課程。由于“半導(dǎo)體物理”的理論較為深奧,知識點多,涉及范圍廣,理論推導(dǎo)復(fù)雜,學(xué)科性很強,對于學(xué)生的數(shù)學(xué)物理的基礎(chǔ)要求較高。對于沒有固體物理、量子力學(xué)、統(tǒng)計物理等基礎(chǔ)知識背景的微電子學(xué)專業(yè)的學(xué)生來說,在半導(dǎo)體物理的學(xué)習(xí)和理解上都存在一定的難度。因此需要針對目前教學(xué)過程中存在的問題與不足,優(yōu)化和整合教學(xué)內(nèi)容,探索形象化教學(xué)手段,結(jié)合科技發(fā)展熱點問題,激發(fā)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣,提高半導(dǎo)體物理課程的教學(xué)質(zhì)量。

一、循序漸進,有增有減,構(gòu)建合理的教學(xué)內(nèi)容

目前,國內(nèi)微電子專業(yè)大部分選用了電子工業(yè)出版社劉恩科等編寫的《半導(dǎo)體物理學(xué)》,[2]教材知識內(nèi)容體系完善,涉及內(nèi)容范圍廣、知識點多、理論推導(dǎo)復(fù)雜、學(xué)科交叉性強。該教材的學(xué)習(xí)需要學(xué)生有扎實的固體物理、量子力學(xué)、統(tǒng)計物理以及數(shù)學(xué)物理方法等多門前置學(xué)科的基礎(chǔ)知識。但是在以培養(yǎng)工程技術(shù)人員為目標(biāo)的微電子學(xué)類專業(yè)中,國內(nèi)大部分高校均未開設(shè)量子力學(xué)、統(tǒng)計物理學(xué)及固體物理學(xué)等相應(yīng)的前置課程。學(xué)生缺少相應(yīng)固體物理、統(tǒng)計物理與量子力學(xué)等背景知識,沒有掌握相關(guān)理論基礎(chǔ),對半導(dǎo)體物理的學(xué)習(xí)感到頭緒繁多,難以理解,容易產(chǎn)生畏學(xué)和厭學(xué)情緒。

在課程教學(xué)中教師必須根據(jù)學(xué)生的數(shù)理基礎(chǔ),把握好課程的內(nèi)容安排,抓住重點和難點,對原有的教材進行補充更新,注意將部分量子力學(xué)、統(tǒng)計物理學(xué)、固體物理學(xué)等相關(guān)知識融合貫穿在教學(xué)中,避免學(xué)生在認(rèn)識上產(chǎn)生跳躍。例如在講解導(dǎo)體晶格結(jié)構(gòu)內(nèi)容前,可以增加2-3個學(xué)時的量子力學(xué)和固體物理學(xué)中基礎(chǔ)知識,讓學(xué)生在課程開展前熟悉晶體的結(jié)構(gòu),了解晶格、晶胞、晶向、晶面、晶格常數(shù)等基本概念,掌握晶向指數(shù)、晶面指數(shù)的求法,了解微觀粒子的基本運動規(guī)律。在講解半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)前,增加兩個學(xué)時量子力學(xué)知識,使學(xué)生了解粒子的波粒二象性,掌握晶體中薛定諤方程及其求解的基本方法。在進行一些復(fù)雜的公式推導(dǎo)時,隨時復(fù)習(xí)或補充一些重要的高等數(shù)學(xué)定理及公式,如泰勒級數(shù)展開等。這些都是學(xué)習(xí)“半導(dǎo)體物理學(xué)”必備的知識,只有在透徹理解這些基本概念的前提下,才能對半導(dǎo)體課程知識進行深入地學(xué)習(xí)和掌握。

另一方面,對于微電子學(xué)專業(yè)來講,側(cè)重培養(yǎng)學(xué)生的工程意識,“半導(dǎo)體物理”課程中的部分教學(xué)內(nèi)容對于工科本科學(xué)生來說過于艱深,因此在滿足本學(xué)科知識的連貫性、系統(tǒng)性與后續(xù)專業(yè)課需要的前提下,大量刪減了涉及艱深物理理論及復(fù)雜數(shù)學(xué)公式推導(dǎo)的內(nèi)容,如在講述載流子在電場中的加速以及散射時,可忽略載流子熱運動速度的區(qū)別及各向異性散射效應(yīng),即玻耳茲曼方程的引入,推導(dǎo)及應(yīng)用可省略不講。

二、豐富教學(xué)手段,施行多樣化教學(xué)方法,使教學(xué)形象化

半導(dǎo)體物理的特點是概念多、理論多、物理模型抽象,不易理解,如非平衡載流子的一維飄移和擴散,載流子的各種復(fù)合機理,金屬和半導(dǎo)體接觸的能帶圖等。這些物理概念和理論模型單一從課本上學(xué)習(xí),學(xué)生會感覺內(nèi)容枯燥,缺少直觀性和形象性,學(xué)習(xí)起來比較困難。為了讓學(xué)生能較好地掌握這些模型和理論,需要采用多樣化的教學(xué)方法,充分利用PPT、Flash等多媒體軟件、實物模型、生產(chǎn)錄像等多種信息化教學(xué)手段,模擬微觀過程,使教學(xué)信息具體化,邏輯思維形象化,增強教學(xué)的直觀性和主動性。同時,教師除開展啟發(fā)式、討論式等教學(xué)方法調(diào)動學(xué)生學(xué)習(xí)的主動性、積極性外,[3,4]還可以應(yīng)用類比方法幫助他們理解物理概念或模型。如講半導(dǎo)體材料中的缺陷及躍遷機制時,為了幫助學(xué)生理解,可以做一個類比:將階梯教師里單位面積的座位數(shù)比做晶格各能級上的電子能態(tài)密度,把學(xué)生當(dāng)作電子,一個學(xué)生坐在某一排的某個座位上,即認(rèn)為這個電子被晶格束縛。當(dāng)有外來學(xué)生進入教室,在教室過道上走動時,可類比為間隙式缺陷;而當(dāng)外來學(xué)生取代現(xiàn)有學(xué)生的座位時,可類比為填隙式缺陷等等。通過類比,學(xué)生對半導(dǎo)體內(nèi)部的點缺陷的概念的理解就清楚形象多了。

三、結(jié)合微電子行業(yè)領(lǐng)域的迅速發(fā)展,以市場為導(dǎo)向,培養(yǎng)學(xué)生興趣

微電子技術(shù)的發(fā)展歷史,實際上就是固體物理與半導(dǎo)體物理不斷發(fā)展和創(chuàng)新的過程,[5]1947年發(fā)明點接觸型晶體管、1948年發(fā)明結(jié)型場效應(yīng)晶體管以及以后的硅平面工藝、集成電路、CMOS技術(shù)、半導(dǎo)體隨機存儲器、CPU、非揮發(fā)存儲器等微電子領(lǐng)域的重大發(fā)明,都與一系列的固體物理、[6]半導(dǎo)體物理及材料科學(xué)的重大突破有關(guān)。縱觀微電子工業(yè)的發(fā)展,究竟是哪些半導(dǎo)體理論推動了微電子技術(shù)的發(fā)展,哪些科學(xué)家推導(dǎo)并得出了這些理論?他們在理論推導(dǎo)的同時遇到了哪些困難?這些理論規(guī)律又起源于哪些實驗?到了21世紀(jì),也就是今后50年微電子技術(shù)的發(fā)展趨勢和主要的創(chuàng)新領(lǐng)域,[5,6]即以硅基CMOS電路為主流工藝,系統(tǒng)芯片SOC(System On A Chip)為發(fā)展重點,量子電子器件和以分子(原子)自組裝技術(shù)為基礎(chǔ)的納米電子學(xué);[7]與其他學(xué)科的結(jié)合誕生新的技術(shù)增長點,如MEMS,DNA Chip等,也都于半導(dǎo)體科學(xué)相關(guān)。這些新的微電子發(fā)展趨勢主要涉及半導(dǎo)體物理中的哪些知識?涉及哪些領(lǐng)域等?

針對以上問題,教師在講授半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)上,對教材進行補充更新。在保持基礎(chǔ)知識體系完整性的同時,避免面面俱到,刪減課本中一些不必要的內(nèi)容,大量加入近幾十年來發(fā)展成熟的新理論、新知識,突出研究熱點問題,力求做到基礎(chǔ)性和前瞻性的緊密結(jié)合,使學(xué)生在掌握基礎(chǔ)知識的同時對微電子發(fā)展歷史中半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展趨勢有一個清晰地認(rèn)識,讓學(xué)生能從中掌握事物的本質(zhì),促進思維的發(fā)展,形成技能;同時注重與信息化技術(shù)相結(jié)合,將近幾年半導(dǎo)體技術(shù)的最新研究成果,如太陽能電池等半導(dǎo)體光伏發(fā)電技術(shù)在國家綠色能源戰(zhàn)略上的地位,半導(dǎo)體光電探測器在國家航天戰(zhàn)略上的應(yīng)用等,使學(xué)生能及時掌握半導(dǎo)體技術(shù)前沿發(fā)展趨勢。將這些問題分成若干個相關(guān)的專題分派給學(xué)生,學(xué)生自行查閱和搜集資料,他們在課堂上講述該專題,教師加以引導(dǎo)和幫助。這種方式不僅充分調(diào)動課堂氣氛,加深他們對所學(xué)知識的理解,同時也讓學(xué)生學(xué)習(xí)了半導(dǎo)體物理課程在微電子專業(yè)中課程體系的作用,在科學(xué)意識上加深了半導(dǎo)體物理課程的重要性,激發(fā)學(xué)習(xí)興趣和欲望。

同時,為幫助學(xué)生了解學(xué)術(shù)前沿,培養(yǎng)專業(yè)興趣,還可邀請校內(nèi)外的專家做講座,學(xué)生可以利用課余時間,根據(jù)自己的興趣選擇聽取,加深對半導(dǎo)體物理課程的了解,培養(yǎng)專業(yè)學(xué)習(xí)興趣。

四、總結(jié)

總之,“半導(dǎo)體物理學(xué)”是微電子技術(shù)專業(yè)重要的專業(yè)基礎(chǔ)課,為后續(xù)專業(yè)課程的學(xué)習(xí)打下理論基礎(chǔ)。在“半導(dǎo)體物理”教學(xué)過程中,應(yīng)積極采用現(xiàn)代化教學(xué)手段提高學(xué)生積極性,在教學(xué)過程中合理安排教學(xué)內(nèi)容,與時俱進引入科技熱點,削弱傳統(tǒng)的課本知識與市場需求的鴻溝,培養(yǎng)適應(yīng)社會需求的微電子人才。

參考文獻:

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[2]劉恩科,朱秉升,羅晉生.半導(dǎo)體物理學(xué)[M].北京:電子工業(yè)出版社,

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[3]陳國英.《半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)》課程教學(xué)的思考[J].常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)報,2007,(6):56-57.

[4]王印月,趙猛.改革半導(dǎo)體課程教學(xué)融入研究性學(xué)習(xí)思想[J].高等理科教育,2003,(1):69-71.

[5]王陽元,張興.面向21世紀(jì)的微電子技術(shù)[J].世界科技研究與發(fā)展,

1999,(4):4-11.

對半導(dǎo)體的認(rèn)識范文2

一念之差投身半導(dǎo)體

趙元富在上高中的時候,對半導(dǎo)體產(chǎn)生了興趣,其實當(dāng)時的他對半導(dǎo)體到底是搞什么都沒弄明白,就是覺得這個東西很神奇,更不清楚半導(dǎo)體專業(yè)究竟是研究哪方面知識的,學(xué)了以后才發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體專業(yè)和半導(dǎo)體收音機沒多大關(guān)聯(lián)。

這和那個特殊時期有關(guān)系,他高考正是恢復(fù)高考第三年,像他們縣城的學(xué)生對大學(xué)的專業(yè)并沒有一個清晰的概念,信息極其難以得到,不像現(xiàn)在可以在網(wǎng)上查到有關(guān)專業(yè)的詳細(xì)內(nèi)容。那時候大家比較清楚的只是數(shù)學(xué)、物理、化學(xué)是什么,所以他在選擇專業(yè)上也有很大的盲目性。一開始他想選擇醫(yī)學(xué),因為家族很早是從事中醫(yī)工作的,起碼清楚學(xué)醫(yī)是做什么的,但由于對半導(dǎo)體的熱愛,一念之差沒有填報醫(yī)科大學(xué)。

趙元富坦言,當(dāng)時在對專業(yè)都不太清楚的情況下,實際上是在選擇學(xué)校,他的分?jǐn)?shù)報清華、北大怕有風(fēng)險,所以就選擇了浙江大學(xué)。后來又繼續(xù)讀了碩士、博士,師從我們國家著名的半導(dǎo)體專家黃敞。

兩度體驗名校風(fēng)采

趙元富所在的七七二研究所培養(yǎng)研究生注重的是實際應(yīng)用,鼓勵大家到國外去看一看。于是他在1996年以訪問學(xué)者的身份公派出國,當(dāng)時他覺得既然出國交流就要去最好的大學(xué),通過一個在斯坦福大學(xué)的朋友,終于實現(xiàn)到美國名校訪問學(xué)習(xí)的心愿。在那里不到一年的時間對他的觸動很大,其實在專業(yè)方面,和他研究的領(lǐng)域并不是非常契合,但是那里的學(xué)術(shù)氣氛卻是極其濃厚。斯坦福大學(xué)會定期舉辦一些講座,參加的都是知名的專家,感覺很容易和他們拉近距離。趙元富回到國內(nèi)后吸取了這一點,經(jīng)常會請來一些院士給學(xué)生講課,想傳達給大家一個道理,即便是非常知名的人士其實也是普通人,離我們也就幾米的距離。

在斯坦福大學(xué)期間的工作環(huán)境很寬松,想研究哪方面都可以,并沒有強制他必須完成他們的任務(wù),可以按照自己的想法做事。去斯坦福大學(xué)主要是為了它的名氣,但是研究方向不完全一致。趙元富一直研究抗輻射加固這個方面,想找一個和所研究領(lǐng)域相關(guān)性更強一些的學(xué)校,后來在一個研討會上他認(rèn)識了一位來自范德華大學(xué)的學(xué)者,那位學(xué)者很驚訝于他做抗輻射加固做了這么多年,所以非常感興趣,并支付了全部費用,邀請趙元富去范德華大學(xué)訪問。

趙元富在范德華大學(xué)開始做自己的老本行――抗輻射加固,和在國內(nèi)的研究是一樣的。在那里的一年多時間里,他深切感受到目前國內(nèi)和國外最大的差距就在于平臺,在國內(nèi)即便使出渾身解數(shù)去做,也就做到國內(nèi)領(lǐng)先。如果在國際上做同樣的研究,因為平臺已經(jīng)那么高了,站在那個高度再稍微努力一下就可能是國際水平,甚至是國際領(lǐng)先了。現(xiàn)在國內(nèi)的基礎(chǔ)條件在逐步改善,現(xiàn)在的研究也是多學(xué)科的、綜合性研究,如果能夠找到融合幾個學(xué)科的交叉研究,也許很快就能達到國際水平。所謂平臺,趙元富認(rèn)為就是基礎(chǔ)的實驗資源,以及能夠接觸到的高層次的專家,還有經(jīng)費的支持力度。

回國有一種歸屬感

趙元富是參加完抗輻射加固重要的年會后準(zhǔn)備離開的,他的導(dǎo)師一直沒有想明白他為什么要回國。他當(dāng)時辦的訪問學(xué)者簽證是不能長期留在美國的,導(dǎo)師為他辦了豁免,他的課題是國防部下屬的,所以辦豁免比較簡單,當(dāng)他和導(dǎo)師提起要回國的時候,導(dǎo)師告訴他已經(jīng)幫他把工作簽證基本辦好了,想讓他留下繼續(xù)做以研究為主的課程,不會承擔(dān)太多的教學(xué)任務(wù)。

是否回國發(fā)展,當(dāng)時對于趙元富來講是很矛盾的。從個人角度來講,他出國前都已經(jīng)工作了很多年,自己感覺在這個領(lǐng)域做得還不錯。到了國外他猛然發(fā)現(xiàn),再研究這個領(lǐng)域也不可能進入它的主流,特別是他所研究的抗輻射加固這方面和美國國防部有很強的聯(lián)系,那邊的一些會議他是無法參加的。每年都會開一個國際公開的會議,同時還有一個會議要求必須是美國公民才能參加,這些帶給他很強的刺激,他清楚地意識到,即便留下繼續(xù)做,也無法進入核心的部分。這種狀況和他在國內(nèi)對比,是很大的反差。再加上他從1989年博士畢業(yè)后就開始工作,已經(jīng)有六、七年了,確實能夠感覺到自己所研究的這個項目對國家的意義,可是在國外就體會不到這種感覺。如果不在國內(nèi)工作那么多年,在美國可能就不會產(chǎn)生如此強烈的感覺,這是他決定離開的重要原因。

現(xiàn)在他回過頭去看當(dāng)時,并不后悔這個選擇,主要看自己的心態(tài)怎樣去面對了。到目前為止,美國范德華大學(xué)的那塊平臺在這個領(lǐng)域的科研機構(gòu)里面仍然是最核心的團隊。后來趙元富也給那個導(dǎo)師推薦了很多人去做研究,美國人有一特點,當(dāng)發(fā)現(xiàn)你確實做得很出色時,都會很認(rèn)可你。

技術(shù)管理兩手抓

對半導(dǎo)體的認(rèn)識范文3

關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體材料;教學(xué)內(nèi)容;教學(xué)方法;實踐教學(xué)

中圖分類號:G642.0 文獻標(biāo)志碼:A 文章編號:1674-9324(2016)10-0085-02

材料是人類文明的里程碑,其中半導(dǎo)體材料更是現(xiàn)代高科技的基礎(chǔ)材料。近年來,半導(dǎo)體材料在國民經(jīng)濟和前沿科學(xué)研究中扮演越來越重要的角色,引起了社會的廣泛關(guān)注。半導(dǎo)體材料作為材料科學(xué)與工程專業(yè)的核心專業(yè)課,主要是通過研究學(xué)習(xí)Si、Ge、砷化鎵等為代表的半導(dǎo)體材料的性質(zhì)、功能,內(nèi)容涉及晶體生長、化學(xué)提純、區(qū)熔提純等半導(dǎo)體材料的生長制備方法及半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)、缺陷和性能的分析和控制原理。隨著現(xiàn)代科技的飛速發(fā)展,該學(xué)科也更新?lián)Q代加快,形成了一些新的理論和概念。為了進一步提高對半導(dǎo)體材料課程的教學(xué)質(zhì)量,我們借鑒國內(nèi)外大學(xué)先進的教學(xué)理念,對該課程存在的問題進行了總結(jié),并提出了新的教學(xué)改革。

一、課程存在的問題

在半導(dǎo)體材料課程的教學(xué)實踐過程中,存在諸多的問題,例如該課程教材包含的內(nèi)容非常寬泛,理論強且概念多而抽象;部分內(nèi)容與其他課程的重復(fù)性相對較高,使得學(xué)生缺乏學(xué)習(xí)興趣;更主要的是教材內(nèi)容大多注重理論,而忽視了實踐的重要性,缺少對前沿科學(xué)知識的相關(guān)介紹。此外,目前傳統(tǒng)的課堂教學(xué)方法主要是簡單的教師講述或者板書課件的展示形式,學(xué)生被動地接受知識,部分學(xué)生只能通過死記硬背的方式來記住教師所傳授的基礎(chǔ)理論知識,長此以往,只會加重學(xué)生對該課程的厭學(xué)情緒。此等只會與因材施教背道而馳,扼殺學(xué)生的個性和學(xué)習(xí)的自主性,不利于培養(yǎng)創(chuàng)造新型科學(xué)性專業(yè)型人才。

二、課程改革的必要性

《半導(dǎo)體材料》課程以介紹半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的基礎(chǔ)理論為目的,從常見半導(dǎo)體的性質(zhì),揭示不同半導(dǎo)體材料性能和制備工藝之間的關(guān)系,全面闡述各半導(dǎo)體材料的共性基礎(chǔ)知識與其各自適應(yīng)用于的領(lǐng)域。在當(dāng)今信息時代科技的飛速發(fā)展中,只有結(jié)合理論和實踐才能發(fā)揮半導(dǎo)體的最大效用,才能更有效地掌握其深度和廣度,這些對后續(xù)課程的實施也有著一定的影響。作為材料科學(xué)與工程專業(yè)的重要專業(yè)課程之一,除了讓學(xué)生學(xué)習(xí)理論知識,更重要的是培養(yǎng)學(xué)生的科學(xué)實踐能力和職業(yè)技能,以適應(yīng)當(dāng)今社會的發(fā)展。針對以上存在的問題,半導(dǎo)體材料的教學(xué)改革迫在眉睫。由此才可以改變學(xué)生的學(xué)習(xí)現(xiàn)狀,調(diào)動和提高學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣,提高教學(xué)質(zhì)量,使得我們所學(xué)知識真正為我們所用。

三、教學(xué)內(nèi)容的改革

1.內(nèi)容的改革。對傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料教學(xué)內(nèi)容的改革,從根本上來看最重要的是引入前沿知識,實現(xiàn)內(nèi)容的創(chuàng)新,并且使得理論聯(lián)系實際。下圖是目前我校的半導(dǎo)體材料的基本內(nèi)容,如下:

目前我校的半導(dǎo)體材料課程內(nèi)容主要由以上幾個部分組成,其中A、B兩部分的內(nèi)容為重要部分,整個學(xué)期都在學(xué)習(xí);而C部分相對來說比較次要,在學(xué)習(xí)過程中大概講述一至兩種半導(dǎo)體材料,剩下的部分屬于自學(xué)部分,也不在考試范圍內(nèi);至于專業(yè)課的實驗,也相對較少且沒有代表性。該課程是在大三上學(xué)期開設(shè)的,對于處于這個階段的學(xué)生來說,面臨這考研或就業(yè)的選擇與準(zhǔn)備過程中。所以作為一門專業(yè)課,除了注重半導(dǎo)體材料的特性、制備和應(yīng)用方面的知識外,更重要的是半導(dǎo)體材料的應(yīng)用領(lǐng)域和研究現(xiàn)狀相結(jié)合,增加其實用性,不管對考研,還是就業(yè)的同學(xué)來說,都有一定的幫助。對于改革后的教學(xué)內(nèi)容,除了增加對圖1中C部分的重視度,其次,應(yīng)增加各模塊:目前半導(dǎo)體材料的熱點應(yīng)用領(lǐng)域及研究現(xiàn)狀。還有圖1中的A、B部分可適當(dāng)?shù)販p少,因為在其他的專業(yè)課程都有學(xué)習(xí)過,對于重復(fù)的知識鞏固即可,沒必要再重點重復(fù)學(xué)習(xí)。對于實驗課,相對于實驗室來說,能夠操作的實驗往往沒有多大的挑戰(zhàn)性,有條件的話能夠進入相關(guān)企業(yè)觀摩,身臨其境的感受有意義得多。

在實際的課程教學(xué)過程中,除了學(xué)習(xí)常見半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷史和研究方法外,介紹一些新型的半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用領(lǐng)域,例如半導(dǎo)體納米材料、光電材料、熱電材料、石墨烯、太陽能電池材料等,使學(xué)生能夠區(qū)分不同半導(dǎo)體各自的優(yōu)缺點;除了介紹晶體生長、晶體缺陷類型的判定及控制的理論知識外,介紹幾種生產(chǎn)和科研中常見的材料檢測方法,如X射線衍射、掃描電子顯微鏡、紅外光譜儀、熒光光譜等。此外,還可以介紹當(dāng)前國內(nèi)外的半導(dǎo)體行業(yè)的現(xiàn)狀和科技前沿知識,讓學(xué)生清楚半導(dǎo)體行業(yè)存在的一些問題需要他們?nèi)ネ瓿桑约ぐl(fā)學(xué)生的使命感和責(zé)任感。在講授各種外延生長的設(shè)備和原理時,應(yīng)介紹一些相關(guān)的科學(xué)研究工作,如真空鍍膜、磁控濺射等。另外,可以以專題的形式,介紹一些前沿內(nèi)容,如半導(dǎo)體納米材料、石墨烯方面的研究進展和應(yīng)用前景等,拓寬學(xué)生的知識面,以激發(fā)學(xué)生的研究興趣和培養(yǎng)創(chuàng)新意識。

2.教材參考書的選擇。《半導(dǎo)體材料》課程內(nèi)容較多,不同的教材的側(cè)重點不一樣,所以僅僅學(xué)習(xí)教材上的內(nèi)容往往不夠,所以根據(jù)課程的改革要求和《半導(dǎo)體材料》課程自身的特點,需要與本課程密切相關(guān)的、配套齊全的參考教程,例如半導(dǎo)體器件物理(第二版)、微電子器件與IC設(shè)計基礎(chǔ)(第二版)、半導(dǎo)體器件原理等。

四、教學(xué)方法的改革

由于傳統(tǒng)的教學(xué)觀念的影響,半導(dǎo)體材料課程的仍是以板書課件為主的傳統(tǒng)的教學(xué)方法。這種單一枯燥的教學(xué)方式忽視了學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣和學(xué)習(xí)的主觀能動性,極大地阻礙了對學(xué)生創(chuàng)新能力的培養(yǎng)。此外,該課程的考核方式單一,以期末考試為主,一定程度使學(xué)生養(yǎng)成了為考試而學(xué)的心態(tài),對所學(xué)知識死記硬背,沒有做到真正的融會貫通、學(xué)以致用的目的。大部分學(xué)生以修學(xué)分為目的,期末考試后對所學(xué)知識所知無幾,學(xué)一門丟一門的心態(tài),嚴(yán)重影響了教學(xué)效果,更重要的對學(xué)生今后的研究和工作沒有任何的幫助。可見,對這種灌輸知識的教學(xué)方式和考核機制的改革迫在眉睫。在教學(xué)過程中采用小組式討論,網(wǎng)絡(luò)教學(xué)平臺,專題式講解,實驗教學(xué)等多種教學(xué)方式,將有益于改善教學(xué)效果。

1.小組討論式教學(xué)。為了充分發(fā)揚學(xué)生的個性特點和體現(xiàn)教學(xué)的人性化,使得學(xué)生真正成為主體,必須提供新穎、易于討論的課程環(huán)境,從而培養(yǎng)學(xué)生自主創(chuàng)新的意識和能力。小組討論式教學(xué)模式就很好地體現(xiàn)了這一點,在小組討論中,可以使學(xué)生發(fā)表自己所思所想,相互學(xué)習(xí),集思廣益,取長補短。教師在教學(xué)過程中應(yīng)鼓勵學(xué)生質(zhì)疑的精神,使其敢于突破傳統(tǒng),思維獨到,鼓勵學(xué)生在錯誤中積累寶貴經(jīng)驗;給予學(xué)生正能量,引起學(xué)生的學(xué)習(xí)熱情和興趣,營造輕松、積極的課堂環(huán)境。

2.網(wǎng)絡(luò)教學(xué)平臺。在多媒體盛行的時代,開放式、多媒體式教學(xué)方式備受關(guān)注,即建設(shè)一個融入教師教和學(xué)生學(xué)為一體的、便于師生互動的網(wǎng)絡(luò)教學(xué)平臺。在網(wǎng)絡(luò)教學(xué)平臺上可以提供各種學(xué)習(xí)輔助資料和學(xué)習(xí)支持服務(wù)。例如一對一的視頻輔導(dǎo)、課堂直播、網(wǎng)上答疑、學(xué)習(xí)論壇、名師講解等形式。學(xué)生可根據(jù)自身的學(xué)習(xí)愛好和學(xué)習(xí)習(xí)慣自主選擇學(xué)習(xí)時間。通過這種便利的人機交互學(xué)習(xí),為學(xué)習(xí)者提供了一個針對性強、輔助有利、溝通及時、互動充分、獨立自主的學(xué)習(xí)環(huán)境,同時提供了豐富的學(xué)習(xí)資源。

3.專題式講解。半導(dǎo)體材料課程包含的內(nèi)容很廣泛,有許多的分支;由于教學(xué)內(nèi)容的增多,往往會給學(xué)生造成錯亂,理不清思緒。專題式講解是更系統(tǒng)的學(xué)習(xí),使學(xué)習(xí)過程有條不紊。專題式講解既可以由教師主講,也可以由學(xué)生自己學(xué)習(xí)整理,再以PPT的形式將所學(xué)所思講給同學(xué)聽。既鍛煉了學(xué)生的自學(xué)能力,又鍛煉了學(xué)生的口語和實踐能力。

4.實驗教學(xué)。實驗是一種提高學(xué)生感性認(rèn)識的有效手段,實驗教學(xué)將有助于學(xué)生深入理解所學(xué)理論知識,并在實驗中應(yīng)用相關(guān)理論,為學(xué)生獲得新的理論知識打下良好的基礎(chǔ)。例如,可以通過實踐教學(xué)方法來傳授半導(dǎo)體材料的生長制備、結(jié)構(gòu)表征、性能測試以及應(yīng)用等方面的知識。合理安排實驗,通過在實驗設(shè)計過程中制定實驗方案、實驗操作、實驗報告或論文撰寫等環(huán)節(jié),不僅提高了學(xué)生的動手能力,對學(xué)生創(chuàng)新能力的培養(yǎng)也起到極大的促進作用。對實驗過程中出現(xiàn)的實驗偏差、操作失誤、環(huán)境改變等對實驗結(jié)果的影響分析,為將來的科研工作打下堅實的基礎(chǔ)。此外,建立校企合作新機制,依托企業(yè)、行業(yè)、地方政府在當(dāng)?shù)亟⒍鄠€學(xué)生教學(xué)實習(xí)基地,為加強實踐教學(xué)提供有力支撐,讓學(xué)生有實地模擬學(xué)習(xí)的機會,提高教學(xué)效果,增強學(xué)習(xí)興趣。

五、結(jié)論

《半導(dǎo)體材料》課程是材料科學(xué)與工程專業(yè)的重要專業(yè)課程。半導(dǎo)體材料課程的教學(xué)改革,對提高材料專業(yè)的人才培養(yǎng)質(zhì)量具有一定的意義。依據(jù)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,及時更新教學(xué)內(nèi)容改革教學(xué)方法,因材施教。同時在教學(xué)實踐中,我們將半導(dǎo)體材料的新理論、新應(yīng)用和一些科學(xué)研究成果引入到教學(xué)內(nèi)容當(dāng)中,處理好基礎(chǔ)性和創(chuàng)新性、先進性、經(jīng)典和現(xiàn)代的關(guān)系,加強理論聯(lián)系實際的教學(xué)環(huán)節(jié)建設(shè),有利于提高教學(xué)質(zhì)量,加強學(xué)生的學(xué)習(xí)效果,培養(yǎng)出具有扎實理論基礎(chǔ)、較強的實踐能力的應(yīng)用技術(shù)型人才和一定科研能力的研究型人才。

參考文獻:

對半導(dǎo)體的認(rèn)識范文4

在全球金融/經(jīng)濟風(fēng)暴的襲擊下,世界半導(dǎo)體業(yè)2008、2009連續(xù)兩年陷入困境,出現(xiàn)負(fù)增長,2010年觸底強勁反彈。WSTS(世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會)去年秋季曾預(yù)測,當(dāng)年市場將大幅增長31.7%,市場突破3000億美元大關(guān),達3004億美元,是十年來增長最快的一年。可是,冷暖相依,大多市調(diào)公司對2011年市場并不看好,預(yù)期增長率僅能在5%上下,徘徊于個位數(shù)的低端。預(yù)測不過是預(yù)測而已

最近WSTS發(fā)表了今年1月份的數(shù)據(jù)統(tǒng)計,世界半導(dǎo)體的銷售額達240億美元,同比勁增16%,而環(huán)比(比上年12月)僅下降4.5%,是自1999年以來12年中下降最少的一年(據(jù)統(tǒng)計,1999~2010年間每年1月的平均環(huán)比負(fù)增長率達20%)。

依據(jù)上述數(shù)據(jù),市場調(diào)研公司Ic Insights將歷年的詳細(xì)數(shù)據(jù)加以推算,再加上最近如美國失業(yè)率減少、新興經(jīng)濟國家需求殷切等的經(jīng)濟積極因素,該公司對今年世界半導(dǎo)體市場前景表示樂觀,認(rèn)為可增長10%左右。

無獨有偶,VLSI公司在3月份競兩次上調(diào)今年世界半導(dǎo)體市場的增長率,尤其引人矚目。該公司不久前曾表示,去年世界半導(dǎo)體市場增長了30.9%,預(yù)測今年將增長8.1%,達2687億美元,雖然承認(rèn)今年市場確有許多不確定因素,但鑒于首季度的市場運行情況,于3月2日將今年的增長率上調(diào)至8.9%,達2707億美元。等到3月30日,一季度的半導(dǎo)體市場表現(xiàn)紅火好于預(yù)期,今年快速提高了11.6%,銷量也從11%提高到14%,因此一季度為全年發(fā)展構(gòu)建了良好基礎(chǔ)。于是,VLSI公司便再次將今年世界半導(dǎo)體市場的增長率上調(diào)到12.2%,并認(rèn)為即使有石油漲價、通貨膨脹、日本地震等種種不利因素,未來幾個季度運行速度可能會趨緩,但至少可保持兩位數(shù)的增長率。

Ic Insights公司預(yù)測,今年熱銷的半尋體產(chǎn)品有數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路、汽車專用模擬電路和MPU等,日前又特別提到了。-O-D(光電器件一傳感器/傳動器一分立器件)市場,3類產(chǎn)品總銷售額將比去年上揚10.2%,達583億美元,其中光電器件增長兒%,達2.64億美元;傳感器/傳動器增長15%,達85億美元;分立器件增長8%,達234億美兀。

由于日本3,兒地震曾導(dǎo)致lS座晶圓廠生產(chǎn)中斷,對半導(dǎo)體業(yè)造成不良影響,Ic Insights公司最近又出版了一份相關(guān)報告。據(jù)其統(tǒng)汁,世界半導(dǎo)體制造產(chǎn)能中有63%位于地震活動帶,晶圓代工產(chǎn)能更超過90%,尤其是位于中國臺灣地區(qū)的世界兩大頂級晶圓代工廠

臺積電和聯(lián)電,一旦遭遇地震或颶風(fēng)災(zāi)害,則將對整體電子產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈造成巨大沖擊(見表1)。

450mm晶圓即將上馬

自1980年半導(dǎo)體業(yè)界采用100ram晶圓進行生產(chǎn),大約每s年前進一代,1985年采用150mm生產(chǎn);1990年采用200mm生產(chǎn):1995年采用300mm~產(chǎn)。可自300mm以來已超過15年還未走向450mm新一代晶圓,時間可謂長矣,近年雖議論不少,可始終未見具體計劃。

究其原因,主要是缺少突破型新產(chǎn)品需求的驅(qū)動力,據(jù)說300mm晶圓線的巨額投資,廠商還沒全部收回,因而缺少投資新一代工藝的經(jīng)濟實力。另外,開發(fā)新一代技術(shù)已不像以往各代的工藝主要是重復(fù),而是要求制造設(shè)備廠商具有綜合開發(fā)能力,包括工藝開發(fā)、材料準(zhǔn)備、軟件編寫、工廠自動化等,龐大的資金和專業(yè)知識均非易事。當(dāng)前,即使像應(yīng)用材料和東京電子這樣世界最大的設(shè)備制造公司在資源方面也難于獨立完成這樣的開發(fā)。

2008年5月、Intel、三星和臺積電共同發(fā)表實施4S0mm生產(chǎn)線的聲明時,業(yè)界一時震動。可其后適,遇經(jīng)濟風(fēng)暴,市場陷入低迷,計劃亮起紅燈。直到不久前,人們才又見到促進派特別是Intel和臺積電的動靜,發(fā)表了較為具體的發(fā)展路線圖。臺積電計劃2013~2014年完成試制生產(chǎn)線,2015~2016年實現(xiàn)量產(chǎn),并計劃2012年第三季度開始在450mm晶圓上采用20nmI藝技術(shù)進行生產(chǎn)。Intel公司2月宣布,即將投資50億美元以上,在亞利桑那州建立42號工廠,采用14nm以下工藝,2013年建成,據(jù)稱將是世界上最先進的工廠。

臺積電4月5日在美國圣荷塞舉行的技術(shù)論壇上,詳細(xì)透露了公司的450mm晶圓生產(chǎn)計劃。臺積電將全力向4S0mm時代挺進,目的之一是降低成本,其二是爭取比競爭對手搶先一步。450mm生產(chǎn)線約需投資100億美元,其中設(shè)備費尤為高昂,但其生產(chǎn)率可比300mm生產(chǎn)線提高1,8倍,且可減少工廠數(shù)量,避免面臨尋找大量優(yōu)秀工程技術(shù)人員的難題,未來lO年將減少人員需求7000人。據(jù)悉,臺積電將首先在新竹第12號工廠建立試制線,預(yù)計2013~2014年投入運行,然后轉(zhuǎn)入臺中第1s號工廠進行量產(chǎn),計劃2015~2016年完成。初時采用20nm工藝,未來將轉(zhuǎn)向14nm工藝。

摩爾定律何時到頭?

在半導(dǎo)體業(yè)界一向奉為圭臬的摩爾定律到頭之論早已有之,iSuppli公司2009年便聲稱摩爾定律即將于2014年失效,曾引起熱烈議論。被譽為臺灣集成電路之父的臺積電董事長張忠謀于今年4月下旬出席“全球科技高峰論壇”時又表示,摩爾定律大約再過6~8年將走到極限。他說,摩爾定律以往平均每兩年進入新的一代,未來IC的微細(xì)化發(fā)展空間已不大、倒是電路板方面還有發(fā)展空間,未來勢必要往新的應(yīng)用發(fā)展,如低功耗等。

微細(xì)化技術(shù)發(fā)展的困難日益增大,速度趨緩,從2003年的90nm工藝、2005年的65nm工藝、2007年的45nm工藝到2009年32nm,都是兩年一代。跨入2010年以后工藝革新的間隔時間將延長,預(yù)計將從2011~2012年的22nm、2014~2015年1snm到2017~2018年llnm,將放慢到2,5~3年一代。

今天的半導(dǎo)體業(yè)除了繼續(xù)走傳統(tǒng)微細(xì)化道路的所謂“More Moore(更摩爾)”方式之外,業(yè)界還提出了有別于此的所謂“More than Moore(超摩爾)”的發(fā)展道路。它包括通過3D方式提高集成度,以及將模擬電路、功率器件、傳感器、生物芯片、無源元件等集成在一個封裝里,稱為SIP(System In a Package)。另外,“Beyond CMOS(后CMOS)”也是業(yè)者提出的另一方式,即利用與現(xiàn)有MOS晶體管不同原理進行工作的新器件,包括將原子、量子、光、自旋電子等用作芯片布線等技術(shù),并將成為本世紀(jì)20年代的基礎(chǔ)技術(shù)。

總之,未來集成電路必將走上多樣化的發(fā)展道路,“More than Moore”和“Beyond CMOS”將成“MoreMoore”技術(shù)發(fā)展的原動力。此外,還有化合物半導(dǎo)體(Ge和III-V族半導(dǎo)體)材料的應(yīng)用也值得注意,業(yè)界有“得材料者得天下”的說法。激蕩的未來十年

無論如何,微細(xì)化的道路還將走下去,當(dāng)前32nm工藝已成主流技術(shù),今年世界主要半導(dǎo)體廠商如Intel、臺積電、Global F、三星等公司即將跨入22nm新一代技術(shù),但綜觀世界半導(dǎo)體業(yè)各生產(chǎn)公司,自130nm以下,共有6代生產(chǎn)工藝并存于世(圖1)。預(yù)計明年22nm將成主流生產(chǎn)技術(shù)。

另外還有一種提法,認(rèn)為微細(xì)化技術(shù)在NAND flash等的牽引下,不斷采用新的手段,前進步伐還將加快,超過了ITRS(國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖)的預(yù)測,今年1Xnm技術(shù)即將成事,9nm技術(shù)也已在實驗室開發(fā)成功。若依ITRS路線圖,2024年將進入5nm時代,屆時每平方厘米尺寸的芯片上,集成的晶體管數(shù)將超過250億個。當(dāng)然,它必須經(jīng)過革新原有技術(shù),應(yīng)用新的半導(dǎo)體材料。

總之,世界半導(dǎo)體業(yè)將在這新的十年里閃展騰挪,爭時立新,人們必須清醒地認(rèn)識到這一點,方能不失時機地?fù)駲C而進。2011~2012年22nm工藝付諸量產(chǎn)時,現(xiàn)有的MOS晶體管結(jié)構(gòu)和材料尚可維持,可到2014~201s年15nm時代以后,就必須要開發(fā)提高產(chǎn)品性能的新技術(shù)了。

對半導(dǎo)體的認(rèn)識范文5

在智能手機、網(wǎng)絡(luò)視頻、GPS導(dǎo)航大行其道的今天,如同以往對芯片行業(yè)的分析一樣,凱斯勒再一次“撥開迷霧”,意識到科技在知識經(jīng)濟時代的重要性,在他眼中,如果不能很好的利用高科技工具進行設(shè)計、制造,就很難提高企業(yè)效率,更難以持續(xù)的創(chuàng)造就業(yè),從某種程度上講,也就很難形成真正意義上的經(jīng)濟復(fù)蘇。

事實上,早在2006年到訪北京之際,他就曾向中國投資者表示,“中國未來5至10年將有一波科技股的浪潮,而在這期間中國市場將再產(chǎn)生1萬億元財富,50%來自現(xiàn)有企業(yè),另外的50%則會來自新興企業(yè),而這些新興企業(yè)將獲得巨大的市場以及良好的發(fā)展前景,如果能提早發(fā)現(xiàn)其價值,將會獲得巨大的翻倍利差。”

當(dāng)時凱斯勒自己就已經(jīng)關(guān)注衛(wèi)生保健和醫(yī)療行業(yè),因為該行業(yè)屬于創(chuàng)新型行業(yè),新技術(shù)正推進整個行業(yè)的迅速發(fā)展。甚至有一位重慶的投資人為了聽到他的“真經(jīng)”,以3萬元人民幣競拍到與其共進晚宴的機會。

作為華爾街的知名基金經(jīng)理,凱斯勒也是一位資深半導(dǎo)體技術(shù)行業(yè)的專家。在行業(yè)的復(fù)蘇期發(fā)現(xiàn)價值,在行業(yè)的衰退期做出警示,在個股的盤整期介入,又在泡沫期拋出。他一直走在時間和市場的前面。

撥開迷霧找趨勢

1980年,凱斯勒畢業(yè)于康奈爾大學(xué)電子工程系,并在AT&T的實驗部門貝爾實驗室開始了長達5年的工作,他設(shè)計芯片、安裝非常昂貴的微型電腦系統(tǒng),而對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更為深入淺出的認(rèn)識也來源于這段枯燥而乏味的學(xué)術(shù)式生活,也許當(dāng)他游走于各種電子器械之間的時候,遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有想到自己有一天會將這項技術(shù)用在華爾街。機緣巧合的是,當(dāng)時進行大規(guī)模改造的AT&T將于1982年分拆,為從長計議自己的職業(yè)生涯,凱斯勒將觸角伸向了潘恩?韋伯(PaineWebber)投資公司。

那時,凱斯勒對于資本市場的認(rèn)識就像一張白紙,他懂的是技術(shù),而不是公司報表,甚至不知華爾街分析師為何物。

在那個年代,美國的科技股炙手可熱,自1982年8月喧囂的大牛市開始之際,苦苦等候多時的電信、半導(dǎo)體企業(yè)紛紛崛起,爭搶著躍入這波技術(shù)與資本對接的浪潮。然而對于新技術(shù),老一代的分析師遠(yuǎn)并不像對IBM那般熟稔。

幸運的是,華爾街相中了凱斯勒。1985年,年僅26歲的凱斯勒來到了韋伯公司,在那個擺放著櫻桃木質(zhì)書桌、皮質(zhì)座椅,搭配著淡綠色地毯的辦公室里邁出了華爾街生活的第一步。他知道,“這里的酬勞是貝爾實驗室的三倍,而且只需要在51%的時候作出正確的預(yù)測。”

在那里,他看到像籃球場般的交易大廳,在晨會上看到分析師的眾生相,也出爐了第一份署名的研究報告。他將自己完全沉浸于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),甚至在眾人都看好芯片業(yè)的成長空間時,他卻通過對產(chǎn)業(yè)基本面的分析做出“賣出”的建議,如此這般唱反調(diào)不僅需要勇氣,更需要一種撥開迷霧的智慧。然而也正因為此,他在晨會上受到經(jīng)紀(jì)人的公然斥責(zé)。

半年之后,已經(jīng)是1986年春天,芯片行業(yè)大勢已去,轉(zhuǎn)而下跌,凱斯勒終于證明了自己的判斷,正如他所說,“作為投資者,你就要在霧還沒有散的時候看清趨勢,搭順風(fēng)車。而搭到順風(fēng)車的前提是‘找到正確的趨勢’。”而這種善于在迷霧中找到趨勢的本領(lǐng)也在隨后助他一臂之力。

1986年7月,芯片行業(yè)大屠殺尚未結(jié)束,當(dāng)眾人還在迷局中徘徊之際,他轉(zhuǎn)而對英特爾做出“買入”建議,此舉不僅是從行業(yè)角度,更是從公司業(yè)績角度給投資人建議,那時的英特爾,已經(jīng)不再是簡單的以ADM為微處理器的供應(yīng)商,而是能以25美元的成本開工,獲得300美元標(biāo)價的“暴利商”。

盡管英特爾的股價再次受到重挫,但最終于15.75美元企穩(wěn),并在隨后的9個月中上漲至每股60美元。

凱斯勒就此一炮而紅,隨之而來的便是《華爾街日報》、《巴倫周刊》等多個知名媒體的采訪,而他也逐漸懂得,“必須比別人做出更早的預(yù)測,而不是闡述已經(jīng)發(fā)生的事實”。

雖然那一年交易火熱的股票大多由融資收購的題材炒作,或是被垃圾債券大王邁克爾?密爾肯所操作,但是一步一步,凱斯勒正向著股市里一言九鼎的那把“斧頭”邁近,而那個金錢坐擁下的華爾街,門檻似乎并沒有人們想象中那樣高。

合成科技股

投資之余,凱斯勒逐漸適應(yīng)華爾街娛樂化的生活:化妝舞會、看拳擊賽、滑雪、打高爾夫,盡管他的“球技只能殺死泥土里的軟蟲”……

凱斯勒迎來了事業(yè)的又一次轉(zhuǎn)折點。先是入選《機構(gòu)投資人》雜志推出的全美研究分析師榜單,也就是俗稱的“I.I.省略上市融資前,凱斯勒曾前去拜訪,那是類似于亞馬遜書店的公司,年收入可達1億美元,然而利潤可能不到1%。還沒等屁股坐熱,他就發(fā)現(xiàn)“這只不過是一家做中間商生意的公司,還是趕回城的飛機去吧。”他甚至還從一家公司CFO(首席財務(wù)官)關(guān)門的細(xì)節(jié)做出了“拋售”的決定。

同時,他也沒有受到所謂的“摸摸族”(買入已經(jīng)上漲的股票)的傳染,而是總能撥開彌漫在行業(yè)拐點前的迷霧,在股價盤整期就介入。當(dāng)1997年的金融風(fēng)暴將大多數(shù)對沖基金“陷于不義”之際,凱斯勒卻很快迎來了豐收的季節(jié),他以每股不超過1.5美元買進的General Magic,以6美元每股買進的Real Network和Inktomi都獲得了超過5倍的收益;1998年,凱斯勒的基金資產(chǎn)規(guī)模達到1億美元,年平均綜合增長率為45%;1999年,那些當(dāng)初以2美元每股入手的Alteon和韓國雙龍公司,兩家公司股價更是飆升至100美元……

喜悅背后更多的是謹(jǐn)慎,在2000年一季度之后的18個月里,他們按照預(yù)定計劃,堅決逐步賣出持股,強制投資人收回投資。因為在這一年3月,當(dāng)沒有新興資本繼續(xù)沖大熱氣球時,互聯(lián)網(wǎng)泡沫便不攻自破,而連接互聯(lián)網(wǎng)神經(jīng)末梢的另一端就是電信公司,2000年10月,電信公司也開始在死亡的邊緣徘徊,但是世界通訊、環(huán)球電信等公司仍舊用最骯臟的假賬手法,互換營收,互相灌水,繼續(xù)著像模像樣的財報。

對半導(dǎo)體的認(rèn)識范文6

索尼雙像素相位檢測傳感器專利曝光

近日,索尼曝光了一份全新的專利,根據(jù)專利顯示,索尼正在研發(fā)雙像素CMOS傳感器,而全新的傳感器將會大幅度提升對焦速度,以及追焦性能,只不過目前并不知道這款全新的傳感器合適才會量產(chǎn),并試用于何款相機。索尼雙像素CMOS傳感器并不是第一次曝光,早在2015年的時候就有消息。其實索尼雙像素CMOS技術(shù)基本原理和佳能的雙像素對焦一樣,同色的一個像素點分成等大兩個進行相位對焦。該技術(shù)專利類似于佳能的全像素雙核對焦,佳能的全像素雙核對焦在新一代機器上已經(jīng)普及,擁有這個對焦性能后,傳感器的對焦速度將大大提升,而且追焦性能也會進一步改善。

菲律賓加入Designview系統(tǒng)

4月26日,歐盟知識產(chǎn)權(quán)局在其官方網(wǎng)站新聞公告,宣布菲律賓知識產(chǎn)權(quán)局(IPOPHL)加入了Designview系統(tǒng)。自該日起,菲律賓知識產(chǎn)權(quán)局所含注冊外觀設(shè)計的相關(guān)數(shù)據(jù)與信息均可通過Designview系統(tǒng)檢索獲得。菲律賓知識產(chǎn)權(quán)局早先已加入東盟與歐盟知識產(chǎn)權(quán)局合作的東盟Designview系統(tǒng)(ASEAN Designview)。此次菲律賓決定加入Designview系統(tǒng),是歐盟知識產(chǎn)權(quán)局國際合作工作中取得的又一重要成果。菲律賓的加入將使得Designview工具涵蓋的知識產(chǎn)權(quán)局?jǐn)?shù)量達到54個,新增超過2萬件菲律賓外觀設(shè)計。至此,可通過Designview進行信息檢索的商標(biāo)總數(shù)共計約1040萬件。

三星新專利:智能穿戴設(shè)備將添新設(shè)計

近日,三星有關(guān)于智能穿戴設(shè)備的專利浮出水面。這項專利顯示了一款可穿戴設(shè)備和其中的控制功能。可穿戴設(shè)備具有可以顯示時間信息的顯示器和可拍攝圖像的照相機,以及搭配使用的運動傳感器和處理器。傳感器可以根據(jù)用戶的運動來自行匹配拍攝條件,從而使得用戶能夠在各種姿勢下都可以使用可穿戴裝置輕易地進行圖片拍攝。同時消息也報道了關(guān)于腕帶的顯示屏技術(shù),未來在智能手表的表帶中會包含一比較小的副顯示屏,副顯示屏可以根據(jù)處理器的控制命令來顯示對應(yīng)的 UI圖標(biāo)。悉,三星已于2016年11月份在美國進行了專利申請。

新加坡知識產(chǎn)權(quán)局設(shè)立創(chuàng)新基金

4月27日,新加坡推出一個10億元的創(chuàng)新基金,協(xié)助擁有強大知識產(chǎn)權(quán)的高增長企業(yè),利用新加坡作為基地,把產(chǎn)品和服務(wù)推廣到全球市場。創(chuàng)新基金由新加坡知識產(chǎn)權(quán)局(IPOS)和新加坡私募基金投資公司馬卡拉資本(Makara Capital)共同設(shè)立,這也是新加坡政府為協(xié)助企業(yè)將知識產(chǎn)權(quán)商品化而宣布的系列措施之一。新加坡知識產(chǎn)權(quán)局也會協(xié)助擴大新加坡知識產(chǎn)權(quán)專業(yè)人才,從目前的約500人,在接下來五年增加一倍至1000人。這些知識產(chǎn)權(quán)工作屬于高價值工作,其薪金預(yù)計比市場同等級工作高出三成。知識產(chǎn)權(quán)局還會同新加坡工商聯(lián)合總會(SBF)合作,協(xié)助總會的2萬5000家企業(yè)加深對知識產(chǎn)權(quán)的認(rèn)識,利用知識產(chǎn)權(quán)提高市場競爭力。

尼康阿斯麥侵犯其光刻技術(shù)專利

日本尼康(Nikon)日前在荷蘭、德國及日本對半導(dǎo)體光刻系統(tǒng)制造商阿斯麥(ASML)提起一系列侵權(quán)訴訟。4月24日,尼康發(fā)表聲明稱,阿斯麥及其光學(xué)元件供應(yīng)商卡爾蔡司公司(Carl Zeiss)在阿斯麥的光刻系統(tǒng)中使用了尼康的專利技術(shù)。利用液體介質(zhì)代替最終透鏡和晶體表面之間空氣縫隙的浸潤式光刻技術(shù)被用于集成電路制造中。尼康表示,浸潤式光刻技術(shù)對于生產(chǎn)智能手機、存儲芯片和其他產(chǎn)品所使用的半導(dǎo)體至關(guān)重要。聲明稱,阿斯麥和尼康是世界上唯一制造并出售浸潤式光刻系統(tǒng)的公司。尼康表示,阿斯麥和卡爾蔡司“繼續(xù)未經(jīng)授權(quán)”使用尼康的專利技術(shù),使得尼康不得不它們以行使其合法權(quán)利。

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